Intel 与 Numonyx B.V. 29 日宣佈发现一项突破性的相变储存器 (phase change memory ， PCM) 研究成果，这项崭新的非易失性 (non-volatile) 储存器技术结合了目前各种储存器的优势。研究人员首次展示了能够在单一硅晶上堆叠或放置多个 PCM 阵列的 64Mb 测试晶片。这些研究成果爲制造容量更高、能耗更低的储存器设备作好准备，能够爲随机存取非易失性储存器和储存应用降低所佔用的空间。

这项成果由 Numonyx 和英特尔联合开发，双方一直共同探索在多层或堆叠式 PCM 单元阵列方面的研究。 Intel 和 Numonyx 的研究人员现在能够展示名为相变储存器与开关 (phase change memory and switch ， PCMS) 的垂直整合型储存器单元。 PCMS 由一个 PCM 组件和新型双向定限开关 (Ovonic Threshold Switch ， OTS) 以真正的交叉点阵列方式组成。堆叠多层 PCMS 阵列的能力提供了实现更高储存器密度的可扩展性，同时保持 PCM 的性能特徵，而基于传统储存器技术则越来越难以实现。

Intel 院士兼储存器技术开发总监 Al Fazio 表示，将会继续开发储存器的相关技术，以推动运算平台的进步。这项研究里程碑的成果令人振奋，认爲对于扩展储存器在运算解决方案中的作用以及提高性能和储存器扩展能力， PCMS 等未来储存器技术至关重要。

TSMC 24 日宣佈，目前 28nm 高介电层 / 金属闸制程的技术蓝图已正式包括低耗电制程 (28HPL) ， 28HPL 将强调低耗电、低漏电、但仍能维持中高效能，主要针对应用于行动电话、 Smart Netbook 、无线通讯及可携式消费性电子产品等，于并预期于 2010 年第三季进行试产。

据 TSMC 表示， 28nm 低耗电高介电层 / 金属闸 (28HPL) 制程採用 gate-last 方法而成，强调低耗电、低漏电、但仍能维持中高效能， 28HPL 制程有完备的元件支援，而且因延伸自氮氧化硅 (SiON) 制程，因而成本更低、且有利于快速上市，因此适用于日新月异的手机与手持装置的市场。

另一方面， 28nm 高效能高介电层 / 金属闸 (28HP) 制程亦採用 gate-last 方法，比较适合中央处理器 (CPU) 、绘图处理器 (GPU) 、晶片组 (Chipset) 与可程式化闸阵列 (FPGA) 、游戏主机与行动计算等高效能导向的应用。

Intel 19 日宣佈中国大连晶圆厂 Fab 68 将会採用 65 奈米制程技术，这座全新的 12 吋厂将会在 2010 年建成投产，投资总额为 25 亿美元。未来大连晶圆厂制造的 IC 晶片将针对全球市场，应用在 Intel 新型和主流中央处理器平台上，爲最新型的行动电脑和桌面电脑的晶片组及週边 IC 晶片产品。

坐拥 163,000 平方米厂房面积的大连晶圆厂是 Intel 第一个在亚洲建立的 12 吋晶圆厂面积，仅採用 65 奈米技术是因为目前美国政府批准的海外最先进生産技术所规限，现时大连晶圆厂的建设正在按计划稳步推进，综合办公大楼和数据中心 IT 机房已经落成及投入使用，工厂厂房建设将在今年夏季季末完成，随后进入设备安装和调试阶段。目前，大连晶圆厂僱员人数已经达到 500 人，计划投産后员工人数将达 1200 至 1500 名。

据 Intel 大连晶圆厂总经理柯必杰表示，大连晶圆厂的建造没有受到全球经济衰退的影响，工厂将于 2010 年如期建成投産， Intel 对中国及东北地区的经济增长充满信心，并致力将先进的制造技术引入中国，大力支持大连 IT 産业生态系统的建设，并对 Intel 的未来策略性发展意义重大，并且已爲今后的更先进的制程技术升级做好准备。

TSMC 18 日宣佈成功开发 28 奈米制技术，时配合双╱三闸极氧化层 (dual/triple gate oxide) 制程，将 32 奈米制程所使用的氮氧化硅 (Silicon Oxynitride ， SiON)/ 多晶硅 (poly Si) 材料延伸至 28 奈米制程，使得半导体可以持续往先进制程技术推进。此一制程技术的优势还包括高密度与低 Vcc_min 六电晶体静态随机存取记忆体 (SRAM) 元件、低漏电电晶体、已通过验证的传统类比╱射频╱电子熔线 (analog/RF/electrical fuse) 元件、低电阻 - 电容延迟 (low-RC) 的低介电质铜导线 (Cu-low-k interconnect) 。

现时 TSMC 已成功以 28 奈米双╱三闸极氧化层系统单晶片技术生产出 64Mb SRAM ，良率十分优异。此一 SRAM 的元件尺寸为 0.127 平方微米，相当具有竞争力，晶片闸密度 (raw gate density) 高达每平方公釐 390 万个闸。在 SRAM Vcc_min 、电子熔线及类比领域的优异表现足以证明此制程技术的可制造性 (manufacturability) 。

此一领先的制程技术再次展现 TSMC 在低耗电、高效能制程採用氮氧化硅╱多晶硅材料，提供客户深具成本效益解决方案的承诺及能力。在这篇论文中，藉由应变硅 (straining engineering) 与极具竞争力的氧化层厚度最佳化的氮氧化硅材料所产出的电晶体，与前一世代的 45 奈米制程技术相较，不但时脉提高 25 ~ 40% ，操作功耗减少 30 ~ 50% ，还拥有低待机及低操作功耗的优势。

市调机构 Gartner 指出， 2009 年全球半导体产业收入预测为 1980 亿美元，较 2008 年的 2550 亿美元跌 22.4% ，较原先预期全年下跌 24.1% 有轻微改善。据 Gartner 研究副总裁 Bryan Lewis 表示，首季的 PC 付运量较预期为佳，从而使到 CPU 销量得以改善，预期第二季半导体销售上升 4.9% 反映半导体行业有些微走出阴霾的迹象，明显已不再迷失。

PC 市场在 2008 年第四季，以及 2009 年一、二月的仓存骤减，使元件需求显着低于个人电脑需求，继而带动有关价格下跌。 Gartner 分析员指， PC 供应商开始及早削减存货，以降低原材料清单成本。随着仓存量由增长趋向减少， Gartner 预计元件价格在今年转趋稳定。

针对特定应用的标准产品 (Application-Specific Standard Product ，简称 ASSP) 将会继续佔据半导体收入的首位， Gartner 预期该类收入在 2009 合共 519 亿美元，较 2008 年下跌 24.2% 。记忆体市场将会位居半导体行业次席，佔 394 亿美元，较去年下跌 16.8% 。 微型元件部分 ( 包括 CPU 、 Micro Controller 、 Digital Micro-Processor) 则由去年的第二位下跌至 2009 年的第三位，预期这个市场的收入会录得 373 亿美元，较去年下跌 23.6% 。