TSMC 24 日宣佈，目前 28nm 高介电层 / 金属闸制程的技术蓝图已正式包括低耗电制程 (28HPL) ， 28HPL 将强调低耗电、低漏电、但仍能维持中高效能，主要针对应用于行动电话、 Smart Netbook 、无线通讯及可携式消费性电子产品等，于并预期于 2010 年第三季进行试产。

据 TSMC 表示， 28nm 低耗电高介电层 / 金属闸 (28HPL) 制程採用 gate-last 方法而成，强调低耗电、低漏电、但仍能维持中高效能， 28HPL 制程有完备的元件支援，而且因延伸自氮氧化硅 (SiON) 制程，因而成本更低、且有利于快速上市，因此适用于日新月异的手机与手持装置的市场。

另一方面， 28nm 高效能高介电层 / 金属闸 (28HP) 制程亦採用 gate-last 方法，比较适合中央处理器 (CPU) 、绘图处理器 (GPU) 、晶片组 (Chipset) 与可程式化闸阵列 (FPGA) 、游戏主机与行动计算等高效能导向的应用。

据 TSMC 研究发展副总经理孙元成博士表示，在技术发展的过程中，採用 gate-last 的方式来发展 28HPL 相关技术，在电晶体特性、利于高阶与低阶应用方面，均比较採用 gate-first 方法拥有更高优势及可制造性。

据了解，目前 28nm 技术的发展与进入量产的时程，一切可按 2008 年发表 28 奈米技术的计划进行，即低耗电氮氧化硅 (28LP) 制程预计于 2010 年第一季底进行试产，高效能高介电层 / 金属闸 (28HP) 制程则预计于 2010 年第二季底开始试产，而低耗电高介电层 / 金属闸 (28HPL) 制程的试产时程将于 2010 年第三季进行试产。