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根据台湾多间媒体的报导,晶片代工龙头 TSMC 台积电在 25 日下午向所有客户发佈通知,宣佈晶片代工价格将全面作出调整,包括 16nm 及以上的成熟制程晶片、7nm 及更先进制程晶片价格将会上调 10%~20%,价格调整会即时生效。其实早在几星期前已有供应链传出 TSMC 将于 2022 年第一季起开始调整晶圆代工报价,但实际情况比预期的更快,在昨日再有爆料指 TSMC 最新通知价格上调是立即生效,打得客户们一个猝不及防。
据了解,7nm 至更先进制程晶片价格将上调 10%,16nm 以上的成熟制程晶片价格将上调10%~20%,并会在即日起生效,代表从今天开始上线生产的订单都是涨价后的价格,已下单未生产的同样如此。
目前,拥有全球市场佔有率超过 50% 的 TSMC 台积电已经稳坐晶圆代工厂皇者之位,而 TSMC 近日再有好消息,有台湾媒体报导指 TSMC 位于台南的 3nm 晶圆代工厂已经开始进厂安装设备,在完成装机作业后随即在今年试产 3nm 制程晶片,2022 年开始量产。据了解,TSMC 3nm 制程将继续使用 FinFET 晶体管,相比前一代的 5nm 晶体管密度增加了 70%,因此在性能上将提升 10%~15%,并降低 25%~30% 的功耗。而在较早前举行的 ISSCC 2021 大会上,TSMC 表示 3nm 制程依计划推进,甚至比预期还超前了一些。
多间台湾媒体均报导,TSMC 位于台湾南部科学园区 Fab 18 的 3nm 厂在近日开始装机,要完成过 50 台 3nm EUV 光刻机装机作业大概需时一个月以上,因此 TSMC 最快可于今年 Q4 开始 3nm 的风险试产,届时将生产 3 万块先进制程晶片。
目前,TSMC 台积电及 Samsung 在 5nm、7nm 制程都依赖胡正明教授在 1999 年发明的 FinFET 技术,然而到了 3nm FinFET 的三面栅控制作用减弱,短通道效应再次突显,因此在 3nm 及以下制程微缩变得更加困难。继 IBM 早前宣佈突破 3nm 极限率先造出推出全球首款 2nm 晶片后,在日前网上举行的 TSMC 2021 Technology Symposium 技术论坛公佈了未来新制程进展,TSMC 除了官宣 6nm、5nm、4nm、3nm 制程技术最新进展外,同时更对外公佈 2nm 制程已取得重大突破,对将于今年内在台湾建成 2nm 超尖端半导体试生产线。TSMC 表示,目前已完成 3nm 制程能够支援智能手机及 HPC 高性能运算集群应用,相比 5nm 制程,3nm 逻辑密度提升了 1.7 倍,同时提供快 10% - 15% 的速度,但功耗则降低 25% - 30%,TSMC 一直将开发可靠且符合规范的低功耗芯片作为研发目标,并稳步实现中。在仔细评估客户的需求、技术性能和成熟度之后,预计 3nm 制程在 2022 年投入量产。
面对 3nm 制程在微缩及开发可靠且符合规范的低功耗晶片面临的挑战,TSMC 提到 FinFET 技术暂时只会用到 3nm,2nm 将会是採用真正全新设计技术,最大特点就是会首次引入 Nanosheet 纳米片晶体管取代现有的 FinFET 结构。