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TSMC 向 Apple / Intel 优先提供 3nm AMD Zen 5 处理器或需延至 2025 年
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Intel 一边帮别人代工,然后买爆 TSMC 3nm 产能,这招真高啊 !! 据 Digitimes 报导,TSMC 下代 3nm 制程已优先留给 Apple 与 Intel,因此 AMD Zen 5 处理器被迫延期至 2024 年底至 2025 年初。

据 Digitimes 报导指出,由于 TSMC 3nm 初期产能已预留给 VIP 客户 Apple 与 Intel,因此採用原定 3nm 制程的 AMD Zen 5 处理器推出时程可能受阻。

现时 AMD 有几个可能选项,最简单的方法是放弃每 2 年推出全新微架构的政策,将 Zen 5 处理器推延至 2024 年底至 2025 年。
3 年后 2nm 世代 谁是半导体技术霸主 !? 2025 年 Intel 将超越 TSMC 成领先者 3 年后谁会是半导体的霸主呢 !? 半导体分析网站 Semiwiki 解答了这个问题,假设各家公司都按照 Roadmap 顺利发展,2025 年 Intel 晶片生产将超越 TSMC 成为再度成为领先者。

Semiwiki 主要是以晶片工艺性能及密度作分析,2025 年 Intel 将会推出 20A 与 18A 制程,Samsung 与 TSMC 同样会以 2nm 作主力,三家都是以 GAA 电晶体管结构。

按照三家所提供的数据,Intel 将会在晶片性能表现上取得领先 (图 1),不过在电晶体密度上仍会落后 TSMC、SAMSUNG (图 2),大家可以参考 Semiwiki 提供的数据。
反制西方制裁、要打破 ASML 垄断 俄罗斯拨款 67 亿卢布研发 X 射线光刻机
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俄罗斯 31 日宣佈向莫斯科电子技术学院 (MIET) 拨款 67 亿卢佈、约 6,100 万港币,研发全新 X 射线光刻机,技术相较 ASML 公司的 EUV 光刻机更先进,有望打破西方国家技术制裁并终止 ASML 公司的垄断地位。

有别于传统的EVU 极紫外线光刻机,X 射线光刻技术採用同步加速度配合等离子体源的无遮罩光刻技术,由于 X 射线波长介乎10nm 至 0.01nm 相较 EUV 更短,理论上能提供更高的光刻分辨率,能提供更先进的制程工艺。
美国要求晶片代工厂交出机密数据 !! SAMSUNG、TSMC 等不配合将被制裁
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由于全球半导体代理产能相当紧张,晶片代理价格不断上升,严重影响到不同市场行业,包括美国在内的厂商受到严重损失,为了调查晶片缺货的真正原因并防止市场炒作,市场传出美国商务部计划要求 SAMSUNG、TSMC 等公司交出内部机密数量,不配合可能会被制裁。

市场传出美国商务部以提升晶片供应链透明度为由,要求 SAMSUNG、TSMC 等晶圆半代厂交出被视为商业机密的数据,包括晶片库存量、订单及销售纪录、客户名单等资料,相关机构需在 45 天内提交相关数据。

虽然,美国商务部解释是以防有有半导体公司操控价格,但业界担心向美国披露机密资料,将会导致半导体代工厂在议价时处于不利位置。
TSMC 3nm 制程第三季进行风险试产 密度 +70%、性能 +15%、功耗 -30%
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综合外电报导,TSMC 台积电 3nm 制程工厂建设进展顺利,将会在第三季正式进入风险试产,如果顺利的话将会于 2022 年大规模量产 3nm 晶片,TSMC 将在晶圆代工技术上保持领导优势。

据了解,无论是 TSMC 或是 SAMSUNG,半导体制程均已推进至 3nm 级别,技术研发基本上已完成,剩下来是产能和良率问题了,但 2nm 制程将会是 TSMC 的重大挑战,因为 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中导入 GAA 环绕闸极工艺,TSMC 做法则比较保守,选择在 2nm 制程才导入 GAA 环绕闸极工艺,所以 2nm 对 TSMC 来说将会是一次重要的技术世代。

与 5nm 制程相比, TSMC 3nm 的电晶体管密度提升70%,性能提升 15% 或者功耗降低 30%,表现相当出色。
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