TSMC 21 日于宣佈达成新里程碑，7nm 制程自 2018 年 4 月正式量产，至今已接到数十家客户、合共超过 100 款不同的晶片，截至今年 7 月共生产了 10 亿颗没有缺憾、功能完好的 7nm 晶片，相等于铺满 13 个美国曼哈顿市中心

据 TSMC 指出，使用 7nm 制程的晶片通常都是 10 亿电晶体以上的架构，所以从晶体管的角度，累计也超过了百亿亿的规模，首批下单 TSMC 7nm 的客户包括 AMD、Apple、Xlinx、Huawei 等等。

TSMC 透露，已率先将 EUV 极紫外光刻 技术导入 7nm 生产并为未来 5nm 作出准备，另外 7nm 的改良版 6nm (N6) 已经开始量产，其电晶体密度提升接近 20%，对比 Intel 7 月宣佈将 7nm 量产延至 2023 年 .................

日本电池研发公司 APB 宣佈成功研发全新的「全聚合物电池 」(All Polymer Battery)，将取代锂离子电池在科技界扮演着核心角色，相较传统锂电池生产成本大幅降低 90%，此技术将会用发电厂、IDC、生产厂房等需要大型蓄电需要求的领域。

据 APB 电池研发公司创办人堀江英明表示，高品质锂电池制造是一个复杂的过程，需要控制湿度、持续的空气过滤，以防止高反应性材料受到污染，因此生产厂商需要斥资数十亿美元来建造工厂，令锂电池生产成本高居不下。

全新的「全聚合物电池」创新之处在于用树脂结构代替电池的基本组件，金属内衬电极和液态电解质，令生产环境要求大幅降低，更重要是提高了电池的安全性、稳定性，大大简化并加快了生产进程。

近期 HKEPC 讨论区的玩家们，都在推荐採用 3D NAND 的 SSD 产品，究竟 3D NAND 是什么 ? 相较传统 2D NAND 优势何在 ?

为提升 NAND Flash 晶片容量，最快捷方法就是缩小电晶体的尺寸，可是 NAND Flash 的制程技术已达至半导体物理极限， 3D NAND 技术成为业界的最新发展方向。传统 NAND Flash 採用平面设计，而 3D NAND 是以则由原本平铺的储存单元所堆叠而成，由传统单层储存提升至高达 64 层或是上的储存堆叠，令储存容量相较传统 2D NAND Flash 得以提升。

3D NAND Flash 已分为三种设计，现时最常见的是 Simple Stack ， Bit Line 与 Word Line 同处在同一平面再重覆堆叠，第二种是 Bit Line 与 Word Line 相互垂直，堆叠的层数是往 BL 方向增加，该结构称为之垂直通道 (Vertical Channel) ，第三种则是依旧 BL 与 WL 相互垂直，不过堆叠的层数是往 WL 方向增加，这个结构称之为垂直闸极 (Vertical Gate) 。

ARM 及 TSMC 17 日发佈将成为长期合作伙伴，就发展 7nm FinFET 制程技术进行深度合作，率先向最下一代工艺制程进行部署，两大科技龙头是次组成战略伙伴共同进行研发，加快半导体工业生产制程技术脚步。

日前， ARM 及 TSMC 共同宣佈两家企业已达成一项长期合作协议，主要针对 7nm FinFET 制程技术进行深度合作，其建基于 ARM Artisan Physical IP Solutions ，能够高效实现复杂的 SoC 设计，为每家代工厂及处理器技术进行专门优化，其处理技术范围可 250nm 至 10 nm 制程技术，全新协议将进一步深化至 7nm 制程。

继 IBM 于去年中表示与 GlobalFoundries 、 Samsung 及 SUNY Polytechnic Institute's Colleges 纳米科技工程部携手打造全体首枚仅 7nm 晶片，各大厂商亦急起即追，恐错失先机，现 ARM 及 TSMC 进入此领域进行良性竞争，相信制程技术将飞速发展。

SAMSUNG 4 日公开表示 2016 年将会是公司业务环境非常艰难的一年，包括记忆体晶片与智能手机市场的核心业务竞争将会进一步加剧，加入全球经济表现低迷，而新兴市场的金融风险亦不断增加带来更多不确定性。

SAMSUNG 社长权五铉于 4 日向员工发表的 2016 年新年致辞，指出今年全球经济将持续低增形势，而且新兴市场因为金融风险提升而带来更多不确定性，全球经济走软加上公司的记忆体晶片与智能手机等核心业务竞争加剧， 2016 年对 SAMSUNG 来说将会较为艰难。