甫结束的 ITF Japan 2020 大会上， 比利时半导体公司 imec 公佈了与 ASML 合作研发的新一代高解析度 EUV 光刻技术 ( High NA EUV Lithography) 的成果，强调「Moore's Law 并不会停下来」，ASML 已为 3nm、2nm、1nm 甚至是 Sub 1nm 所需的 EUV 光刻设备，预计首款 NXE 5000 系列 High NA EUV 光刻机会在 2022 年底前实现商业化。

据 imec 首席执行官暨总裁 Luc Van Den Hove 指出，该公司与 ASML 紧密合作，共同开发下一代高解析度 EUV 光刻技术并取得突破，即使制程到达了 1nm 甚至更小，制程微缩化仍然会继续，Moore's Law 并不会停下来。

imec 在 ITF Japan 2020 大会上展示了逻辑电路的发展方向，当中 PP 是聚碳酸酯佈线的间距 (nm)，而MP是精细金属的佈线间距 (nm)，可以看到 FinFET 技术到了 3nm 将会出现屏障，业界将会向着 BPR、CFET 及 2D Atomic Channels 等技术发展。

中芯国际 (SMIC) 宣佈 2020 年底成功研发全新 N+1 制程，并预计在 2020 年底进行小批量试产、2021 年可望进入量产阶段，相较现时 SMIC 所拥有的 14nm 制程，其能提升 20％、功耗降低 57％、逻辑面积缩小 63％、SoC面积缩小 55％，将会成为中国半导体晶片生产的新希望。

据了解，SMIC 在 2019 年第 4 季度量产 14nm FinFET 制程，该技术现时可满足了国内约 95% 的晶片生产，从 14nm FinFET 改进良的 12nm FinFET 亦已进入客户导入阶段，这些都是 SMIC 的第一代 FinFET 技术，而 N+1 制程则属于 SMIC 的第 2 代 FinFET 技术，N+1 是 SMIC 的内部代号，并没有具体说明 nm 数字节点，但外界猜测很大机会是 10nm，而正在研发中的 N+2 会是为高性能晶片而生。

现时已得悉 N+1 制程 相较现时 SMIC 所拥有的 14nm 制程，其能提升 20％、功耗降低 57％、逻辑面积缩小 63％、SoC面积缩小 55％，由于不需要 EUV 技术所以无需要 ASML 最新的 EUV 光刻机，将会成为中国半导体晶片生产的新希望 。

为降低美国对中国半导体行业的打撃，中芯国际 (SMIC) 正进行去美国化计划，在年底前在完全不使用外国技术及设备下，实现先进的 40nm 晶片试产，并且期待在 3年内生产更先进的 28nm 制程，消息震惊了全球科技界。

据「日经亚洲评论」消息指出，中国政府正努力减低中国半导体行业对美国的依赖，要求中芯国际进行中国化计划，要求尽快达至 100% 国产晶片供应链的目标。

消息指出，中芯国际已向中国政府提交了规划，会在今年底前在完全不使用美国设备下，进行先进的 40nm 晶片试产，并且在 3 年内提升至更先进的 28nm 制程，最终目标是实现国产资讯下可达成自家晶片生产。

2020 世界半导体大会 26 日正式举行，TSMC 除了公佈了 6nm、5nm、3nm 制程的进度外，亦首次谈及了 2nm 制程研发，TSMC 2nm 将会首次导入 GAA 环绕闸极工艺，将会投入 8,000 工程师专门针对 2nm 进行研发，并会在台湾新竹兴建 2nm 厂房，2nm 将会是 TSMC 能否持续领先的关键之役。

据了解，无论是 TSMC 或是 SAMSUNG，半导体制程均已推进至 3nm 级别，技术研发基本上已完成，剩下来是产能和良率问题了，但 2nm 制程将会是 TSMC 的重大挑战，因为 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中导入 GAA 环绕闸极工艺，TSMC 做法则比较保守，选择在 2nm 制程才导入 GAA 环绕闸极工艺，所以 2nm 对 TSMC 来说将会是一次重要的技术世代。

现时大部份 14nm 或以上制程均是採用 FinFET 鳍片式电晶体，当前的微缩制程走到3nm，将会面临新的物理极限，除非改用 GAA 环绕闸极工艺结构，否则摩尔定律就很难再维持下去，GAA 环绕闸极工艺成为了兵家必争之地。

2020 世界半导体大会 26 日正式举行，TSMC (南京) 总经理罗镇球透露了更多未来 3nm 制程的消息，TSMC 在 3nm 进度比预期理想，预计会在 2021 年下半进入风险试产阶段，可望 2022 年可进入大规模量产，在半导体制程技术上继续保持领导地位。

早前，TSMC 已在第 26 届技术研讨会上已确认了 7nm 的改良版 6nm (N6) 已经开始量产，其电晶体密度提升接近 20%，5nm 则完成了生态系统设计，并且已有客户开始在 5nm 技术基础上设计产品，现正进行 5nm 风险试产，预计年底可进入量产期，首先会应用在智能手机晶片上。

此外， 3nm 研发进度比预期理想，预期 2021 年下半年可进入风险试产，并看到 3nm 晶片出现市场上，并且将于 2022 年实现 3nm 大规模量产，相较 5nm 制程技术，TSMC 3nm 将可降低 25~30% 功耗，同时带来 10~15% 的性能提升。