2022-04-03
反制西方制裁、要打破 ASML 垄断
俄罗斯拨款 67 亿卢布研发 X 射线光刻机
俄罗斯拨款 67 亿卢布研发 X 射线光刻机
文: Roy Chan / 新闻中心
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俄罗斯 31 日宣佈向莫斯科电子技术学院 (MIET) 拨款 67 亿卢佈、约 6,100 万港币,研发全新 X 射线光刻机,技术相较 ASML 公司的 EUV 光刻机更先进,有望打破西方国家技术制裁并终止 ASML 公司的垄断地位。
有别于传统的EVU 极紫外线光刻机,X 射线光刻技术採用同步加速度配合等离子体源的无遮罩光刻技术,由于 X 射线波长介乎10nm 至 0.01nm 相较 EUV 更短,理论上能提供更高的光刻分辨率,能提供更先进的制程工艺。
X 射线光刻机另一个优势是直写光刻,无需要用光掩遮罩,因此成本也能大大降低,俄罗斯媒体更宣传此举将打破西方在晶片技术上的制裁,同时能打破 ASML 公司多年来的垄断。
其实,美国、中国及、欧洲多国均曾经研究 X 射线光刻技术的可能性,但最终放弃收场。