DIY 玩家或多或少对于 HBM 记忆体都有少许认识，AMD 在 2015 年的 Fury 系列显示卡上首次商用第一代 HBM 技术，超高频宽、超低的佔用面积彻底改变了当时的显示卡设计，随后 NVIDIA 在 Tesla P100 上亦採用了 HBM 2 技术，不过消费级市场上使用 HBM2 技术还只有 AMD 的 RX Vega 显示卡，虽然 HBM 记忆体技术成本相对 GDDR 昂贵，不过记忆体厂商仍然继续研发更新的 HBM 技术，用于应付未来显示卡对主流 DRAM 更高容量、更高速度、更高频宽、封装大小等的需求。

外媒 Tom's Hardware 最新的报导，虽然 JEDEC 仍未正式公佈 HBM3 技术规范，但过往积极推动 HBM 技术的 SK-Hynix 已致力开发下一代 HBM3 高速记忆体，将会接替目前升级版的 HBM2e 技术。

第三代高频宽记忆体（HBM3）首次于 2016 年出现，HBM3 标准扩大了记忆体容量、提升了记忆体频宽 ( 512GB/s 或更高) 并降低了电压与价格。AMD 曾经在 Radeon 显示卡上使用了 HBM 记忆体，尽管 RX Vega 显示卡在用上 HBM2 后时脉大幅提升，但实际记忆体介面却减少一半，加上成本超高 AMD 再没有在消费级游戏卡上用上 HBM 记忆体，现在 AMD 及 NVIDIA 都在运算加速卡、超级电脑上应用 HBM2 或 HBM2e 记忆体，晶片封装在运算核心旁。

SK Hynix 于 2021 IEEE 国际储存研讨会上，执行长 Seok-Hee Lee 发表主题演讲中指出，现时 NAND Flash 的发展重点并不是更先进的制程，也不是 QLC、PLC 技术，而是堆叠层数将不断增加，现时 SK Hynix 已量产 176 层的 NAND Flash，原本预计 3D 堆叠极限会是约 500 层，但 SK Hynix 已找到新的技术将极限推展至约 600 层。

要做到 600 层的 3D NAND Flash，需要在技术方面进行更多创新突破，其中一个重点是加入原子层沉积 (ALD) 技术，能在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性。

此外，为了解决薄膜应力 film stress 问题，SK Hynix 加入了独立的电荷阱氮化物 (CTN) 结构，解决堆叠层数增加后存储单元之间的干扰，电荷丢失问题。

目前，AMD 及 Intel 都双双部署全新「DDR5 计划」，如无意外的话最快在明年就会有支援 DDR5 记忆体的非消费级平台推出，作为全球三大 DRAM 半导体厂之一的 SK Hynix 在今日宣佈正式推出全球首款 DDR5 DRAM 产品，率先推出的初版 DDR5 DRAM 支援 4800 ~ 5600 Mbps 的传输速度，比上一代初版的 DDR4 快 1.8 倍，频宽也高达 4 1.6GB/s，工作电压亦降至 1.1V， 配合 TSV 封装能够组成容量高达 256GB 容量的 DDR5 模组。

早在 2018 年 11 月 SK Hynix 已成功开发旗下首款 16Gb DDR5 DRAM，及后 SK Hynix 与 System On Chip 开发公司等不同企业共同运营现场分析研究室，并通过共同执行系统级别测试（System Level Test）及各种模拟测试完成了新产品的性能验证。与此同时，SK Hynix 还与多间公司紧密合作，进行了包括 RCD 2 )、PMIC 3 ) 等构成模组的主要部件的兼容性验证，在经过各种验证及相容性测试后，目前已经可以推出市场。

根据官方的资料显示，SK Hynix 最新推出的全球首款 DDR5 DRAM 产品基于 1Ynm 制程 ( 相当于 14nm 至 16nm ) 的 16Gb DDR5 DRAM 晶片，用上 TSV ( through-silicon-via ) 封装技术可大幅增加 DDR5 的容量，单条最高可达到 256GB 容量。不仅如此，全新 DDR5 的产品工作电压亦由上代 DDR4 的 1.2V 降到 1.1V，成功减少了 20% 的功耗。

在 CES 2020 大会上，SK Hynix 曾展示过全新 64GB 容量的「 DDR5 RDIMM ECC」记忆体实物，官方给出的资料传输速率为4800MHz，性能比现在的 DDR4 记忆体高出不少，SK-Hynix 日前再公佈了有关即将推出的 DDR5 记忆体的更新，最高可达 8400MHz、最大密度为 64Gb，新的 DDR5 记忆体将会在今年量产，绝对是一个让人振奋的消息。

目前主流 PC 电脑平台使用的记忆体规格为 DDR4，不过各大 DRAM 厂已经进入并即将量产下一代 DDR5 记忆体的晶片，早在 2018 年 11 月，SK-Hynix 就宣佈开发了业界首个基于 JEDEC 标准的 1Ynm 16Gb DDR5 DRAM，SK Hynix 官方的资料显示，2013 年由 DDR3 转到 DDR4 的时代，记忆体频宽增加了 33%，而在即将到来的 DDR5 时代，SK Hynix 的目标是使每个 DIMM 的频宽增加 50% 以上。

SK-Hynix 最新就公佈了关于即将推出的 DDR5 记忆体的更资料，新的 DDR5 标准非常灵活，规格表中提到，DDR5 的记忆体速度范围涵盖了 3200MHz 至 8400 MHz。相比之下，DDR4 记忆体普遍介乎 1600MHz 至 3200MHz 的速度范围，当然亦有制造商推出高达 5000MHz 的 DDR4 记忆体，但数量不算多。

《韩联社》19 日报导了关于南韩武汉肺炎确诊病例，新增的 15 个确诊病例来自大邱市及毗邻的庆尚北道，更令人惊讶的是 15 个新增确诊病例中，其中一位出现肺炎徵兆曾与半导体大厂 SK-Hynix 员工有密切接触，而另一名新进员工则出现肺炎病徵，导致目前 SK-Hynix 关闭该两名员工曾经出入及使用过的建筑物，并通报需要隔离的员工由原本约 280 人一口气提升至 800 多人。

SK-Hynix 在 19 日表示，一名新进员工在出现感冒症状后曾前往 SK-Hynix 内部的诊所就医，而公司诊所发现该员工有肺炎徵兆，立即转送利川医院进行武汉肺炎採检，SK-Hynix 随即亦将该内部诊所封闭，而与该名新进员工一起接受过教育训练的约 280 人则需要在家进行 14 天的自我隔离。

在今日 SK-Hynix 再证实，另一名新进员工与 19 日在大邱市确诊的一名武汉肺炎患者有密切接触，该公司位于南韩京畿道利川市的教育培训中心需要即时封锁，并进一步扩大隔离人数至 800 多人。