全球半导体专利战不断升温，在昨日才刚刚报导 Micron 在中国侵权诉讼败诉，最新由“韩国时报”的报导指出，韩国 DRAM 巨头 Samsung 及 SK-Hynix 涉嫌遭受中国公司窃取 DRAM 研发的先进技术，该中国公司试图侵犯 Samsung 及 SK-Hynix 的专利，企图藉此获取先进的技术知识。

“韩国时报” 获得内部人士的消息，表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成为中国储存晶片制造商的工业间谍目标，并企图窃取两大韩国 DRAM 巨头的重要研发技术及知识产权。在半导体领域，专利对公司的成本结构由关重要，因此必须保护他们花费数十年建设的专利成果。

目前发展 DRAM 的三大厂分别是韩国的 Samsung、 SK-Hynix 和美国的 Micron，因为专利技术门槛高，三大厂死守技术。为了发展 DRAM 和 NAND Flash 技术，中国大陆更到台湾挖角人才，早前紫光集团更因为以 3-5 倍的薪资挖角 10 位台湾高级工程师，陷入窃取商业机密的嫌疑，紫光也针对这个事件发表声明。

NVIDIA 下一代 GeForce GTX1180/GTX2080 绘图卡消息传完又传，但仍然未有正式的上市时间，同时产品的实际规格亦未获得确认，根据“路透社”的消息， SK-Hynix 最新与 NVIDIA 签订了一项新合同并开始执行，预计该合同将有助刺激绘图晶片的销售，相信 NVIDIA 很快会将 GDDR6 记忆体用于全新的绘图卡产品之上。

在消息公佈后，SK Hynix 在 5 月 23 日的股价录得超过 5% 的涨幅，升至 94000 韩圜，创下近 17 年来的新高。受惠于 DRAM 及 NAND Flash 不断涨价，在 2018 年 1 月至 3 月SK Hynix 的净利润为 3.1 万亿韩圜（28.9 亿美元），比去年同期增长 64.4%。

对于电脑行业来说，SK-Hynix 与 NVIDIA 签订新合同相信是一个令人兴奋的消息，在 4 月时有消息指 SK Hynix 透露已积极生产 GDDR6 记忆体，并会在三个月内大批量产。SK Hynix 新一代 GDDR6 的速度是目前 GDDR5 的两倍，数据传输速率达到了 16Gbps ，高达 384-bit 记忆体介面，能够实现 768GB/s 总记忆体频宽，但工作电压却建低了 10% 。

Hagens Berman 律师事务所已向美国加利福尼亚州北部地区法院向 Samsung、Micron 及 Hynix 提出集体诉讼，根据该公司的调查，三家 DRAM 制造商共谋限制 2016 年至 2017 年 DRAM 晶片的供应，目的是抬高价格。该公司确认，DRAM 在 2017 年的价格上涨了47%，这是过去30年来有史以来最大的涨幅。

据了解，截至2017年Samsung、Micron及 Hynix集体拥有96% 的全球DRAM市场，Hagens Berman的诉讼提到，三家公司互相勾结，在2016年同意限制DRAM供应，以提高价格，这导致“DRAM价格上涨”，DDR4记忆体套件的售价是18-24个月前的两倍（或更多），让Samsung、Micron及 Hynix营收成长逾1倍。

此次的「固定价格方式」的集体诉讼是由在 2016 年 7 月 1 日至 2018 年 2 月 1 日购买并使用 DRAM 记忆体设备的所有美国消费者，包括Acer、Apple、Asus、Dell、Lenovo、HP、Samsung 等等公司出售的笔记本电脑和台式机，同时智能手机及平板亦包括在内。

SK-Hynix 今天宣佈最近已完成了开发企业 SATA SSD（或“eSSD”）的工作，凭藉其 72 层 512Gb 3D NAND Flash 晶片，正为高附加值 eSSD 市场铺平道路，SK-Hynix 将 72 层 512Gb 3D NAND Flash 与内部固件及控制器相结合，提供最大 4TB 的密度。

SK-Hynix 表示，一组 4TB 的 SSD 可能包含 200 个 UHD 超高清电影，每个电影大约为 20GB 容量。新的 eSSD 支援高达 560MB/s 及 515MB/s 的连续读写速度，并可以拥有 98000 IOPS 及 32000 IOPS 个随机读写，提供了更高的读取延迟。

SK-Hynix 还完成了开发企业 PCIe SSD 的工作，并向伺服务和数据中心客户提供样品。PCIe SSD 也将使用 72 层 3D NAND 并拥有大于 1TB 容量。1TB PCIeSSD 连续读写速度为 2700MB/s Read、1100MB / s，随机读写性能达到 230,000 IOPS 和 35,000 IOPS。

SK-Hynix 最新在其产品目录中添加了单晶片 16 Gb DDR4 记忆体晶片，这将使单组 DIMM 的最大记忆体容量提高两倍，受惠于储存密度的增加，让 SK-Hynix 可以将更少的储存器半导体裸片销售相同容量的晶片，并能够像以前一样提高相同储存器晶片的最大容量。

由于记忆体晶片的数量减少 ，单晶片16 Gb DDR4 记忆体的优点能够提供更低的功耗，以及将两个 64GB 模组、四列 128 GB LRDIMM 及八列 256 GB LRDIMM 组合在一起的可能性，将可让 Intel 或 AMD 伺服器平台上的最大记忆体容量翻倍，例如，EPYC 系统可能会达到 4TB 记忆体容量。