Samsung B-Die 已被广泛认为是一款优秀的高性能 DRAM 记忆体，由于由于有着高频、低时序、吃电压等几大特性，普通一条的 DDR4-2133 记忆体，都可以轻易超上 DDR4-3200 甚至 DDR4-4000，深受不少超频玩家的青睐。然而，Samsung 在 5 月份时已宣佈将 B die 停产，取而代之的就是用上 Samsung 1z nm（1z 级别）光刻工艺制造 A-Die 替代品。

随着全球需要进行越来越多的数据处理及储存容量，记忆体 DRAM 颗粒密度的增加变得越来越重要，Samsung 亦不得不调整公司的方向，由于容量所限 B-Die 颗粒已经进入了 EOL 状态，并交由更密集的 M-Die 及 A-Die 产品去接替。

在工艺制造上，旧有的 Samsung B-Die 是採用 20nm 工艺生产，至于新的 A-die 记忆体则会转向更新的 10nm 节点，预期在制程提升的情况下，新的 A-die 记忆体有望能够实现更高的时脉速率，同时单颗 die 可以做到 16Gb 或 32Gb，即 2GB 或 4GB 容量，最高能做到单面 32GB 容量的记忆体。

为了进一步提高 SSD 容量及密度，Samsung 在日前正式宣佈开始生产业内首批 100 层 V-NAND，是基于 136 层堆叠、256Gb ( 32GB ) 的第六代 V-NAND ( 3bit，也就是 TLC ) 晶片，首款应用全新 V NAND Flash 的是 250GB 的 SATA 3 SSD 产品，预计性能比上代提升 10%、功耗降低 15%、生产效率提升 20%，数据传输速度是现时业内最快。

Samsung 表示，100 层 V-NAND Flash 使用“通道孔蚀刻”技术，新的 V-NAND 颗粒比之前的 90+层堆叠结构增加约 40% 的层数，达到了 136 层，同时新产品可兼顾速度、生产率和能源效率三方面，可以算是市场上佔据绝对优势的产品。其 100 层 (第 6 代) V-NAND Flash 的写入延迟低至 450μs、读取响应时间为 45 μs，与上代 90 层 V-NAND 相比，100 层 V-NAND 不仅性能提升了 10%，功耗还降低了 15% 。

值得一提的是，新产品生产步骤简化的同时、晶片尺寸亦同时缩减，让生产效率能够提高 20%。

Intel 由于 10nm 延迟改为以 14nm 制程去填补中间的空缺，导致 Intel 的 CPU 在去年出现供不应求的情况，为了解决 14nm 产能严重吃紧的问题，当时 Intel 计划将部份 14nm 工艺交由台积电生产，然而最新有消息指 Intel 秘密接洽了另一家代工厂「Samsung」为其代工 14nm 处理器，预计将会包括即将在 2021 年推出的 Rocket Lake 系列。

为了能缓解 14nm 产能危机的问题，Intel 虽然已巨额斥资兴建晶圆厂增加自家生产线，不过建造工厂需要数年时间，因此在燃眉之急的情况下，只能寻求外缓帮手， 并正与 Samsung 讨论合作的相关事宜。

Samsung 代工业务部门积极的销售策略是吸引 Intel 的其中一个原因，据了解，Samsung 提供特殊规格的全光罩（full-mask）给出的价格比台积电低 60%，Samsung 的全光罩是一种用于在晶圆上绘制电路的薄膜，比台积电推出的MLM 多层综合光罩价格便宜，让 Samsung 已经获得了大量客户的支持，能降低制造成本亦是吸引 Intel 的原因。

继台积电、Samsung 晶圆代工、Intel 等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光（EUV）微影技术后，同样面临制程微缩难度不断增高的 DRAM 厂也开始评估採用 EUV 技术量产，Samsung 今年第四季将开始利用 EUV 技术生产 1z 纳米 DRAM，SK Hynix 及 Micron 预期会在 1α nm 或 1β nm 评估导入 EUV 技术。

由于先进制程採用 EUV 微影技术已是趋势，在台积电第二季 EUV 技术 7+nm 进入量产阶段并获华为海思订单后，Samsung 晶圆代工也採用 EUV 量产 7nm 制程，Intel 预期 2021 年 7nm 会首度导入 EUV 技术。而随着制程持续推进至 5nm 或 3nm 后，EUV 光罩层会明显增加 2～3 倍以上，对 EUV 光罩盒需求亦会出现倍数成长。

另外，佔全球半导体产能逾 3 成的 DRAM，也开始逐步导入 EUV 技术。至于为何要採用 EUV 技术来生产 DRAM 记忆体，其原因就在于可以提高光刻精度、减小线宽、降低记忆体单位容量成本。

Samsung B-Die DDR4 记忆体颗粒有着高频、低时序、吃电压等几大特性深受玩家爱戴，在近年不少厂商推出的高频记忆体都会用上 Samsung 的 B-Die 颗粒，不过B-Die颗粒很快就会成为歷史，Samsung 日前公佈了最新的产品指导说明书，透露了 B-Die 今年上半年将陆续停产，并会由新款的 A-Die、E-Die颗粒接替。

Samsung B-Die是 Samsung生产的一种记忆体 DRAM 颗粒，与其他 DRAM 颗粒相比有更高频、低时序、吃电压的特性，同时有不俗的超频能力，一条普通的DDR4-2133 随便就可以跑到DDR4-3200甚至4000，成为超频界的火热颗粒，加上在过去几年INTEL 及 AMD推出的新处理器对记忆体频率的要求越来越高，基本都是DDR4-2666以上，因此Samsung B-Die 更成为高阶用家追捧的产品。

随着全球需要进行越来越多的数据处理及储存容量，记忆体 DRAM 颗粒密度的增加变得越来越重要，Samsung 亦不得不调整公司的方向，最新公佈的 B-Die颗粒即将进入 EOL 状态，取而代之的是更密集的M-Die及A-Die产品。