全球半导体专利战不断升温，在昨日才刚刚报导 Micron 在中国侵权诉讼败诉，最新由“韩国时报”的报导指出，韩国 DRAM 巨头 Samsung 及 SK-Hynix 涉嫌遭受中国公司窃取 DRAM 研发的先进技术，该中国公司试图侵犯 Samsung 及 SK-Hynix 的专利，企图藉此获取先进的技术知识。

“韩国时报” 获得内部人士的消息，表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成为中国储存晶片制造商的工业间谍目标，并企图窃取两大韩国 DRAM 巨头的重要研发技术及知识产权。在半导体领域，专利对公司的成本结构由关重要，因此必须保护他们花费数十年建设的专利成果。

目前发展 DRAM 的三大厂分别是韩国的 Samsung、 SK-Hynix 和美国的 Micron，因为专利技术门槛高，三大厂死守技术。为了发展 DRAM 和 NAND Flash 技术，中国大陆更到台湾挖角人才，早前紫光集团更因为以 3-5 倍的薪资挖角 10 位台湾高级工程师，陷入窃取商业机密的嫌疑，紫光也针对这个事件发表声明。

记忆体晶片对 2025 计划尤为重要，随着云端运算、5G 无线技术、IoT物联网、人工智能、自动驾驶甚至区块链的增长，记忆体晶片的重要性将进一步提高。中国近年积极拓展自己的 DRAM 及 NAND Flash 技术，然而不少的中国公司发现，DRAM 和 NAND Flash 制造工艺的发展比他们想像的困难得多，发展 DRAM 的厂商试产报告不达预期，甚至出现良率过低的情况，加上 DRAM 厂还有技术与专利的问题，中国要得到韩系厂商直接授权很难，若没有原厂授权，又不能窃取商业机密，将不能生产 DRAM。

目前，仍不确定中国政府是否对支持「专利盗窃」，但 Samsung 、SK-Hynix、Micron 三大 DRAM 晶片供应商均遭到中共监管部门的反垄断审查，中国政府声称记忆体晶片价格持续上涨是不合理的市场状态，有明显的操控迹象，并面临大额的罚款。