SiliconMotion于Computex 2018大会上，展出新一代「SM2262EN」高阶NVMe SSD控制器，採用先进的28nm制程、相较上代40nm制程的「SM2262」有更佳的温度表现，而且运作时脉更高、性能更强大，最高连续读写高达3.5GB/s Read、3GB/s Write，最高随机读写性能高达420K IOPS。

SiliconMotion SM2262EN NVMe SSD控制器

「SM2262EN」是SiliconMotion新一代高阶NVMe SSD控制器，採用PCIe Gen3 x4介面、8个NAND Channels并最高支援2TB容量，能配合高达96 Layers的TLC、QLC技术的3D NAND Flash，相较上代「SM2262」在性能及温度表现均有明显提升，最高连续读写速度可达3.5GB/s Read、3GB/s Write，随机读写性能高达420K IOPS，性能压倒Samsung 970 Pro及WD Black SSD，预计在2018年下半年登场。

支援64-Layer (左)、96-Layer(右) 3D NAND Flash

除了性能方面，全新「SM2262EN」在温度及功耗表现亦作出了改良，升级更先进的28nm制程，执行MobileMark 2014测试其总电源使用约55W、待机功耗仅2.5W，完全负载下最高温度为55°C，相较上代「SM2262」分别为85W、5W，最高温度可达78°C，全新「SM2262EN」无论温度及功耗表现明显改善。

Silion Motion全新SM2262EN NVMe SSD控制器

除了高阶型号「SM2262EN」外，Silion Motion同时推出了「SM2263EN」及「SM2263XT」NVMe SSD控制器，主要是针对主流级及入门级NVMe SSD市场，两者均支援採用PCIe Gen3 x4介面、4个NAND Channels，两者差异在于XT版本为DRAM-Less设计，无需配搭DRAM记忆体颗粒，预计在2018年下半年登场。

针对主流级市场的SM2263EN NVMe SSD控制器