2014-02-26
混合记忆体立方体HMC规范推出第二版
速度提升一倍 并实现HMC与SoC结合
文: John Lam / 新闻中心

混合记忆体立方体联盟 HMCC 25 日宣佈,正式通过了 HMC 混合记忆体立方体的第一个技术规范,现时短距传输速度亦由最初 10 Gb/s 、 12.5 Gb/s 和 15 Gb/s 提高到 30 Gb/s ,至今联盟的成员已增至 120 家企业,现时将会进行第二代技术规范工作, HMCC 期望 HMC 混合记忆体立方体将可成为未来记忆体的新标准。

 

HMCC 是由 Micron Technology 、 Samsung Electronics 及 SK hynix 等记忆体供应商所创立,为开发混合记忆体立方体进行规范,第一代规范于 2013 年 4 月发表,并综合了各其他成员意见,计划于 2014 年 5 月推出第二代规范,目前已有 Altera 、 Xilinx 、 和 Open-Silicon 等公司开始採用 HMC 记忆体技术。

 

据了解, HMC 第二代规范将有效令 UltraScale FPGA 架构性能进一步提升,提供需要高频宽的运算应用市场,相较上代资料传输速率提高一倍,同时第二代产品将採用 20nm 甚至 14nm FPGA 制程,并实现结合于 SoC 晶片之中,其实 HMC 早于第一版规范中提供开发评估,展示 HMC 设备和 FPGA 之间的互通性。

 

此外, HMCC 採用了先进的硅穿孔 (TSV) 技术,其通过垂直导管将一组单独的晶片在电气性相连接,以将高性能逻辑电路与动态随机存取记忆体 (DRAM) 模具相结合。 Micron 正在提供第一款商用 HMC 产品的样品,该产品密度为 2GB ,存储频宽达空前的 160GB/s ,而每比特能耗比现有技术少 70% ,这大幅度地降低了客户的拥有总成本。

 

DRAM 的性能改进率和处理器资料消耗率之间的差距不断地增大,而 HMC 已被行业领袖和有影响人士视为解决该问题期盼已久的答案。 HMC 的性能代表着其性能、封装和能效等方面远超于当前和近期的记忆体架构,与现有的记忆体技术有巨大的差别。

 

HMC 成为开放介面标准,成员包括了 Micron Technology, Inc. 、 Samsung Electronics Co., Ltd. 、 Altera Corporation 、 ARM 、 IBM 、 Microsoft Corporation 、 Open-Silicon, Inc. 、 SK hynix, Inc. 和 Xilinx, Inc 等主要 IT 业界巨头,业界 HMC 能否成为未来记忆体的次世代标准感到乐观。

 

IDF2011
HMC 记忆体立方体的初型,首次展示已拥有 50GB/S 的传输速度