进入 2013 年，市场调查机构 DRAMeXchange 早前发表 2012 年 12 旬合约价走势报导告，并同时发表针对 2013 年 DRAM 产业发展的大趋势分析，指出 2013 年 DRAM 厂商三强鼎立大者恆大市场趋势确立，行动式记忆体与伺服器用记忆体跃升市场主流，另一方面 20nm 与 30nm 制程成为 2013 年市场主流规格，而早前减产效应也为 2013 年标准型记忆体价格重拾稳定。

据早前 12 月下旬的 DRAM 价格走势报告指出，在刚过去的半月中， DRAM 合约价格受到现货价格拉抬，价格继 12 月上旬上升后表现持续强势，尤其是主流模组 4GB 的高价位价格上涨最多，达到 3.17% ，成交价约在 16.25 美元，与合约均价的 15.75 美元已有着 0.5 美元的差额，显示 DRAM 供应厂商的议价能力有明显差异。

预期韩系大厂 2013 年将在 PC DRAM 比重方面大幅减产，重心将会转移落在行动式记忆体身上，令 PC OEM 能够选择的厂商数量缩减，同时也影响其议价能力，使未来的议价主导权将落在 DRMA 厂商方面，在目前 PC-OEM 库存需要回补下， DRAM 价格仍将呈现上涨的趋势，同时由于供需平衡有明显改善，标准型记忆体近半年的跌势可望暂时休止。

另一方面，报告也就 2013 年大趋势作出分析，其中据分析指出，随着 Micron 购併 Elpida 已在处理程序当中，由 SAMSUNG 、 SK Hynix 和 Micron 集团形成强三强鼎立势态将尘埃落定，预期三强市佔率将超过 90% ，在各自拥有 DRAM 与 NAND Flash 的技术下，其产品组合将可灵活调配运用，而价格走势上将更倾向寡占的市场格局，有助价格回稳健康。

记忆体产品出重方面，由于不少厂商重心已逐渐转向行动式记忆体，标准型记忆体比重持续降低，由于智慧型手机与平板电脑热卖，预期 2013 年下半年行动式记忆体将取代标准型记忆体成为市场主流， LPDDR2 记忆体仍是 2013 年的主流规格，紧随着 Intel Haswell 晶片组的推出，行动式记忆体将首度进军行动电脑市场，伺服器用记忆体亦受惠于云端需求的兴起，单机搭载容量亦有将近 30% 的跃升， 2013 年将佔总产出量 20% ，标准型记忆体在 DRAM 厂的策略考量下，产出量将进一步萎缩，预估今年位元产出将较去年大幅衰减 27% 。

此外，早前部份厂商面临大幅亏损的压力，在进入 20nm 制程以下需要购入 EUV 机台下，资本支出更甚浸润式机台， DRAM 厂已经递延转进 20nm 以下制程的进度，因此预期 DRAM 厂仍将以 20nm 及 30nm 制程作为市场主流，而过往短短一年便有两个世代交替的快速转进情况将暂不復见。

由于 DRAM 记忆体将进入三强鼎立局面，加上标准型记忆体市场萎缩，预期台系 DRAM 厂 2013 上半年全面退出标准型记忆体市场，并转移至利基型与代工事业。随着部份厂商退出市场，加上 2012 年减产效应将在 2013 年发酵， 2013 年标准型记忆体价格涨价新契机， 2013 年标准型记忆体价格将持续向上，并逐步恢復健康价格。