內建 DDR3 記憶體控制器

Intel Nehalem 微架構的另一重大突破，就是內建記憶體控制器設計，與以往把記憶體控制器內建於晶片組中， 以及 FSB 和記憶體控制器中樞連接至伺服器或高端工作站中的所有處理器有所不同，每個處理器將擁有自己的專用記憶體，直接通過處理器矽核上的集成記憶體控制器實現存取。

內建記憶體的優勢是是採用點對點互連模式，處理器不必為了訪問記憶體和 I/O 而彼此爭用一條匯流排，進而提升了可擴充性，避免處理器之間相互爭用匯流排帶寬，且擁有很低的延遲值。

現時已知悉最高階的 Nehalem 微架構產品，將內建 3 Channel DDR3 記憶體控制器，每 Channel 可支援 2 DIMMs ，最高可支援 48GB 容量，中階及入門級則把記憶體控制品與核心封裝在一起，支援 2 Channel DDR3 記憶體配置，最高可支援 32GB 記憶體容量，支援 RDIMM 及 UDIMM 記憶體模組。

記憶體速度方面，原定最高型號的 Bloomfield 將支援 DDR3-1333 速度，但最終僅提供 DDR3-1066 官方規格支援，據 Intel 指出，主要係因尚未完成 DDR3-1333 的認証過程，將會在完成認証後加入 DDR3-1333 官方規格支援，因此記憶體最高頻寬暫定為 25.6GB/s ，相比 Dual Channel DDR2-800 的 12.8GB/s 頻寬高出一倍，將來則會進一步提升至 32GB/s 。

Non-Uniform Memory Access 設計

Nehalem 微架構針對內建記憶體控制器，加入 Non-Uniform Memory Access 設計 ，不像以往 Front Side Bus 設計，處理器需要通過 FSB 及晶片組才能讀取另一顆處理器的記憶體資料， Nehalem 微架構處理器可直接透過 Quick Path Interconnect 存取另一顆處理器的記憶體資料，大大減低資料存取的延滯 (Latency) ，而且改用單一物理定址技術 (Single Physical Address space) ，大大提升資料存取效率。

在 Non-Uniform Memory Access 設計下，當 CPU 0 向 CPU-1 要求獲取數據，而數據正位於 CPU 1 內建記憶體控制器所管理的系統記憶體中， CPU 1 的內建記憶體控制器會向系統記憶體發送數據請求，數據會直接通過 QPI 而返回 CPU 0 ，不再需要再經過 CPU-1 ，讓遠端系統記憶體的讀取延遲值減至最低。

當然，遠端系統記憶體讀取無法與本地存取速度相比，存取時間會較快，但仍然較舊有 Front Side Bus 及晶片組內建記憶體控制設計擁有更高效率，因此 QuickPath Interconnect 是極為快速的。